Feneberg M,
Osterburg S,
Lange K,
Lidig C,
Garke B,
Goldhahn R,
Richter E,
Netzel C,
Neumann MD,
Esser N,
Fritze S,
Witte H,
Bläsing J,
Dadgar A,
Krost A.
Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to1020 cm−3
